主要特性
8?bit 基于EEPROM 的RISC MCU
Program: 3k x 14; RAM: 256 x 8; Data: 128 x 8
8 / 10 / 14 / 16 / 20 引腳
ADC: 真正的12?bit 精度 (VADC?REF = 0.5V 時為11?bit 精度)
4 個定時器, 4 路獨(dú)立PWM ? 1 路帶死區(qū)控制
低Standby, WDT 和工作電流
POR, LVR, LVD – 單輸入比較器
可配置源電流和灌電流
高ESD, 高EFT
低VDD 工作電壓

HIRC 可微調(diào)

ADC (12?bit)
? 真正12?bit 精度 (≤ 850 kHz ADC時鐘)
? 8 + 1 通道
? VADC?REF
? 內(nèi)部： 0.5, 2.0, 3.0, VDD
? 外部: +, ? 可選
? 自動閾值比較和中斷
PWM (Total 4)
? 支持在SLEEP下運(yùn)行
? 共4個通道 (相同周期) ：
? 獨(dú)立：占空比，極性
? 1個通道 (多達(dá)6個I/O)：
? 互補(bǔ)輸出+死區(qū)
? 自動故障剎車 (I/O, LVD, ADC)
? XOR, XNOR第2功能
? 單脈沖模式；蜂鳴器模式
Timers
? WDT (16?bit): 7?bit后分頻
? Timer0 (8?bit): 8?bit預(yù)分頻
? Timer1 (12?bit)
? Timer2 (16?bit): 4?bit預(yù)分頻和后分頻
? 支持在SLEEP下運(yùn)行
? LIRC, 1 or 2x {指令時鐘, HIRC, 晶振},
2x EC
I/O PORTS (多達(dá)18個I/O)
? 上拉/下拉電阻
? 開漏
? 8個I/O源電流: 3, 6 or 18mA (5V, 25°C)
? 8個I/O漏電流: 35 or 53 mA (5V, 25°C)
? 8個I/O: 中斷/喚醒
電源管理
? SLEEP
? LVR: 2.0, 2.2, 2.5, 2.8, 3.1, 3.6, 4.1 (V)
? LVD: 1.2, 1.8, 2, 2.4, 2.7, 3, 3.3, 3.6, 4 (V)
(LVD可用作極性可選的單輸入比較器功能)
系統(tǒng)時鐘 (SysClk)
? HIRC高速內(nèi)部振蕩器
? 16MHz <±1.5% typical (2.5?5.5V, 25°C)
? 可微調(diào)
? 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64分頻
? LIRC低功耗低速內(nèi)部振蕩器
? 32 kHz或256 kHz
? EC外部時鐘 (I/O輸入)
? LP / XT晶振輸入
? 雙速時鐘啟動 (HIRC或LIRC)
? 故障保護(hù)時鐘監(jiān)控
其他特性 (歡迎垂詢)
? ADC低側(cè)0.12mV分辨率，0.24mV精度，適用于電流檢測
? 13.56 MHz載波
? 用于鋰電池的3.2V ? 4.7V監(jiān)控
? ? VDD LCD偏置
集成開發(fā)環(huán)境 (IDE)
? 片上調(diào)試 (OCD)，ISP
? 3個硬件斷點
? 軟復(fù)位，暫停，單步，運(yùn)行等
封裝
? SOP8 MSOP10 SOP14 SOP16
SOP20 TSSOP20 DIP20 QFN20

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